Intel рассказала о технологиях и планах
В Москве прошло мероприятие Intel, на котором специалисты вендора поделились некоторыми планами развития корпорации.
Мероприятие было организовано PR-подразделением Intel в России и СНГ. С краткими сообщениями выступили Михаил Цветков, технический директор Intel в России, и Дмитрий Летичевский, инженер по применению изделий Intel.
Выступающие отметили, что Intel по-прежнему уделяет большое внимание развитию полупроводниковых технологий, улучшая существующие и разрабатывая новые. Intel не форсирует переход на более тонкие техпроцессы 10 нм и 7 нм. Компания продолжает совершенствовать 14 нм, повышая качественные характеристики выпускаемых изделий. Кстати, количество и плотность размещения элементов во многих случаях превышает соответствующие показатели у конкурентов. Значительный массив элементов позволяет создавать сложные и эффективные изделия. Отработанная же технология обеспечивает большой процент годных изделий с пластины и снижает себестоимость изделий. Тем не менее, Intel продолжает работы по освоению и более тонких техпроцессов, которые станут основой новых изделий, ожидаемых в этом и в последующих годах.
Запланирован выпуск высокопроизводительных графических решений. Среди них интегрированная графика одиннадцатого поколения (Gen. 11). По сравнению с решением, например, девятого поколения (Gen. 9) количество исполнительных блоков возросло более чем в два раза и достигло 64. Такое увеличение числа блоков должно удвоить производительность графической подсистемы до уровней, превышающих 1 терафлопс. Такой рост позволит поднять качество игр, обеспечит обработку видео разрешений 4К и 8К, даст возможность решать широкий круг задач, связанных с использованием искусственного интеллекта.
Как ожидается, графика Gen. 11 появится в 2019 г. в процессорах, которые будут выпускаться по техпроцессу 10 нм. В 2020 г. запланирован выпуск более мощных решений, предназначенных для видеоадаптеров на дискретных элементах. Накопленный опыт обеспечит в ближайшей перспективе появление графических решений с производительностью Peta flops. Продолжится совершенствование и процессорных архитектур CORE и ATOM.
В 2019 г. запланирован выпуск процессоров линейки Ice Lake. Их основой станет микроархитектура Sunny Cove. По сравнению с предшественниками увеличатся тактовые частоты, количество выполняемых команд за такт, количество ядер, улучшится энергоэффективность, возрастет безопасность.
Не оставляет своим вниманием Intel и сектор устройств памяти. Продолжится совершенствование как традиционной технологии флэш-памяти 3D NAND, так и перспективной памяти 3D XPoint. Целью же является увеличение информационной емкости и производительности твердотельных накопителей информации, обеспечивающие энергонезависимое хранение программ и данных.
С этой целью компания освоила и осуществила выпуск накопителей QLC SSD, которые обеспечивают хранение 4 бит информации в каждой ячейке. Это на треть увеличит информационную емкость по сравнению с предыдущим вариантом в лице устройств TLC с хранением 3 бит в каждой ячейке. Некоторое снижение ресурса и скорости записи компенсируется использованием новых алгоритмов контроля и коррекции данных, а также соответствующего встроенного ПО. Главное — твердотельные накопители благодаря внедрению QLC становятся дешевле и доступнее для потребителей. Для тех же, кто нуждается в более высокопроизводительных решениях, следует обратить внимание на устройства 3D XPoint.
Созданные на основе 3D XPoint накопители Intel Optane обладают высокими скоростями чтения/записи, превышающими аналогичные характеристики устройств с микросхемами планарной NAND и 3D NAND. Накопители 3D XPoint обладают побайтной адресацией. По производительности они находятся между оперативной памятью и твердотельными накопителями, созданными по технологиям NAND и 3D NAND. При этом значительно дешевле DRAM и в то же время значительно надежнее любого традиционного SSD. Это позволило существенно изменить архитектуру мощных систем обработки данных. Использование элементов энергонезависимой памяти в разных подсистемах обрабатывающих комплексов позволяет значительно увеличить их функциональные и потребительские возможности. В соответствии с этим Intel создала новый продукт, получивший наименование Intel Optane DC Persistent Memory. Он сочетает функциональность оперативной памяти, большой информационный объем и энергонезависимое хранение программ и данных. Позволяет уменьшить нагрузку на DRAM, существенно снизить требуемый объем и в целом увеличить емкость подсистемы оперативной памяти при меньших финансовых затратах по сравнению с традиционными решениями.
Одновременное развитие нескольких технологических процессов и накопленный опыт позволяет не только расширять номенклатуру изделий, но и реализовать новые способы корпусировки. Новая технология получила наименование Foveros.
Технология Foveros реализует многоярусную интеграцию полупроводниковых кристаллов в едином корпусе микросхемы. Это позволяет создавать компактные устройства и системы на основе высокопроизводительных чипов с высокой удельной плотностью компонентов при обеспечении низких уровней энергопотребления и теплообразования. Указанная технология обеспечит гибкость при проектировании, позволяя комбинировать разные фрагменты сложных функциональных блоков, созданных по разным полупроводниковым технологиям. В одном корпусе можно совместить разные вычислительные блоки с элементами оперативной и энергонезависимой памяти, элементами проводного, оптического и беспроводного интерфейсов. Таким образом, на одной кремниевой подложке могут находиться полупроводниковые кристаллы разной функциональности и разных технологических процессов. Внедрение данной технологии позволит уменьшить число корпусов микросхем в электронных устройствах, увеличить функциональность изделий, уменьшить их габариты и стоимость. Ожидается, что продукты с использованием технологии Foveros появятся во второй половине 2019 года.
Опубликовано 15.01.2019
