GS Nanotech и Петрозаводский государственный университет разработали свой SSD
Как утверждают в компании, это первый SSD в форм-факторе U.2, полностью разработанный в России и произведенный на основе NAND-памяти, корпусированной у нас. На текущий момент это максимально возможный уровень локализации таких устройств в РФ.
Совместная работа началась с соглашения, которое GS Nanotech, Петрозаводский государственный университет и «ДЕПО Электроникс» подписали в июле 2019 года. Создание твердотельного накопителя форм-факторе U.2 NVMe стало первым этапом проекта в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы» Минобрнауки РФ. В дальнейшем участники намерены начать построение высокопроизводительных решений для СХД и ЦОД на основе созданных накопителей NVMe.
Технические характеристики нового продукта
|
Характеристики |
Исполнение изделия |
||
|
GSPDC01TR16STF |
GSPDD02TR16STF |
||
|
Емкость, Гбайт |
960 |
1 920 |
|
|
Форм-фактор |
U.2 |
U.2 |
|
|
PCIe |
PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3 |
PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3 |
|
|
Ресурс, Тбайт |
1 347 |
2 694 |
|
|
Скорость последовательного чтения, Мбайт/с |
до 3 200* |
до 3 200* |
|
|
Скорость последовательной записи, Мбайт/с |
до 1 000* |
до 1 000* |
|
|
Количество операций, случайное чтение (4K-QD32), IOPS |
до 360 000* |
до 350 000* |
|
|
Количество операций, случайная запись (4K-QD32), IOPS |
до 30 000* |
до 30 000* |
|
|
Рабочая температура, ˚С |
от 0 до +70 |
от 0 до +70 |
|
|
Температура хранения, ˚С |
от -40 до +85 |
от -40 до +85 |
|
|
Напряжение питания, В |
от 11,04 до 12,96 |
от 11,04 до 12,96 |
|
|
Устойчивость к вибрации, Гц |
до 80 при амплитуде в 1,52 мм |
||
|
Ударостойкость, G |
до 1 500 в течение 0,5 мс |
до 1 500 в течение 0,5 мс |
|
|
Устойчивость к влаге, % |
до 93 при +40 ˚С |
до 93 при +40 ˚С |
|
|
Соответствует спецификации PCI Express® Base Specification Revision 3.1a |
|||
|
Соответствует требованиям RoHS |
Соответствует спецификации NVMe 1.3 |
||
Собственный проект по разработке и массовому производству SSD GS Group реализует с 2016 года. Первый запуск продукции состоялся в феврале 2018 года.
Весь производственный цикл — разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плате, финальная сборка и упаковка изделий — реализован в инновационном кластере «Технополис GS» в Калининградской области, мощности которого позволяют выпускать более 1 млн устройств в год.