Рынок DRAM-модулей ждет перенасыщение
09.09.2010
Рынок DRAM-модулей может оказаться в стадии перенасыщенности уже в III кв. 2010 г., сообщил глава подразделения по чипам компании Samsung Electronics, Оу-Хьюн Квон (Oh-Hyun Kwon).
Рынок DRAM-модулей может оказаться в стадии перенасыщенности уже в III кв. 2010 г., сообщил глава подразделения по чипам компании Samsung Electronics, Оу-Хьюн Квон (Oh-Hyun Kwon). Данное заявление было сделано 7 сентября на пресс-конференции в столице Тайваня. Избыток предложения обусловлен ослаблением продаж персональных компьютеров.
Квон отметил, что общемировой выпуск DRAM-модулей в III кв. покажет последовательный рост, так как производители продолжают наращивать объёмы производства и переход к более прогрессивным техпроцессам. Однако, учитывая продолжающееся снижение продаж ПК, DRAM-сектор столкнётся с избытком продукции на складах уже в I кв. 2011 г. Квон выразил оптимизм по поводу сегмент флеш-памяти типа NAND, заметив что её стоимость будет снижаться более медленно и к концу 2010 г. стабилизируется. В отличии от модулей памяти типа DRAM, которые целиком и полностью зависят от продаж компьютеров, NAND флеш-память будет по-прежнему определяться положением на рынке мобильных устройств (особенно, планшетов и смартфонов). В сравнении с рынком ПК, сектор потребительской электроники сегодня имеет гораздо больше перспектив.
Также Квон сообщил, что Samsung начнет массовое производство DRAM-продукции с использованием 35 нм техпроцесса позднее в 2010 г., а NAND флеш-память по 20 нм техпроцессу компания начнёт выпускать в 2011 г. Также Samsung строит свою новую производственную линию №16, на которой будут производить DRAM и NAND память, а также модули памяти нового поколения, который компания намерена представить в 2011 г. Ежемесячная производительность линии составит 200 тысяч 12-дюймовых пластин. Кроме того, запланировано значительное расширение мощностей линии №15, которая ориентирована на выпуск DRAM-модулей.