Новый материал на основе графена продлит срок службы накопителей
Международная группа ученых НИТУ «МИСиС» и Национального института квантовых наук и радиологии (Япония) разработали материал, который позволит существенно увеличить плотность записываемой информации в устройствах хранения данных, таких как твердотельные диски и флеш-накопители. К тому же, у него нет лимита перезаписи, что позволит внедрить устройства из него в технологию Big Data.
Как мы знаем, на сегодняшний день традиционными являются устройства, в которых информация переносится при помощи электрического тока. Многообещающей альтернативой электронике является спинтроника, где управление переносом информации реализуется не только с помощью заряда электронов, но также и при помощи тока спинов – собственных моментов импульса электронов. В спинтронике устройства работают на принципе магниторезистивного эффекта (магнитного сопротивления): имеются три слоя, первый и третий из которых ферромагнитные, а средний – немагнитный. Проходя через такую структуру типа «сэндвич», электроны, в зависимости от их спина, по-разному рассеиваются в намагниченных краевых слоях, что влияет на результирующее сопротивление устройства. Детектируя увеличение или же уменьшение данного сопротивления, можно управлять информацией при помощи стандартных логических битов, 0 и 1.
Ученые использовали комбинацию из графена и полуметаллического сплава Гейслера Co2FeGaGe (кобальт-железо-галлий-германий). Японским коллегам впервые удалось получить слой графена атомарной толщины на слое полуметаллического ферромагнитного материала и измерить его свойства.
Как пояснили исследователи, особенность используемого в гетероструктуре сплава проявляется в стопроцентной спиновой поляризации на уровне Ферми, что является необходимым условием для использования его в спинтронных устройствах. В исследованной гетероструктуре графен не вступает в химическое взаимодействие с магнитным материалом, что позволяет сохранить его уникальные проводящие свойства.
Ранее в устройствах магнитной памяти не использовался графен: при попытках изготовления таких слоистых материалов атомы углерода вступали в реакцию с магнитным слоем, что приводило к изменению его свойств. Благодаря тщательному подбору состава сплава Гейслера, а также методов его нанесения, удалось создать более тонкий образец, по сравнению с предшествующими аналогами. Это, в свою очередь, позволит существенно повысить емкость устройств магнитной памяти без увеличения их физических размеров.
Следующие шаги ученых – масштабирование экспериментального образца и дальнейшая модификация структуры элемента.