Компания Toshiba анонсировала твердотельные накопители

Дюссельдорф, Германия, 19 февраля 2014 г. - Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) анонсировала новое поколение завоевавших признание высокопроизводительных твердотельных накопителей (SSD) серии HG для использования в ноутбуках, рабочих станциях, корпоративных приложениях с высокой интенсивностью чтения и в качестве серверных загрузочных дисков. Накопители HG6 стали первыми накопителями для массового рынка с использованием фирменной технологии с A19nm (Advanced 19nm — усовершенствованная 19-нанометровая технология) Toggle 2.0 MLC (многоуровневые ячейки памяти) NAND, которая значительно повышает производительность и энергоэффективность.

Накопители SSD серии HG6 представлены в вариантах емкостью от 60[1] до 512 ГБ и обеспечивают отличные показатели — скорость последовательного чтения до 534 МБ/с и скорость последовательной записи до 482 МБ/с. Эти накопители кардинально повышают скорость загрузки компьютера и приложений, а также в целом улучшают работу с компьютером.

Изделия серии HG6 необычайно энергоэффективны по сравнению с предыдущими поколениями: благодаря им мобильные устройства могут работать без подзарядки еще дольше. Эти накопители представлены в различных форм-факторах, включая компактный mSATATM[2], M.2 и стандартный вариант шириной 64 мм и высотой 7 мм и 9,5 мм.

Они оснащены интерфейсом SATA 3.1 (6 Гбит/с ) и используют технологию кэширования записи Adaptive Size SLC Write, а также опциональную функцию самошифрования, совместимую с TCG-Opal 2.0. В новых накопителях нашла свое воплощение и надежная фирменная технология Quadruple Swing-By Code (QSBC™) компании Toshiba, которая повышает стабильность работы и обеспечивает более эффективную коррекцию ошибок.

Дополнительные сведения см. на веб-сайте Toshiba, посвященном накопителям, по адресу http://www.storage.toshiba.eu.     

Модель[4]    THNSxJyyyGBSU    THNSxJyyyGCSU
Форм-фактор    Корпус типа 2.5 (9.5 mmH)    Корпус типа 2.5 (7.0 mmH)
Емкость [1]    60/128/256/512 ГБ
Тип соединителя    Stndard SATA    

Память    Toshiba A19 нм MLC NAND Flash Memory
Интерфейс [1]    ACS-2, SATA версии 3.1, 1.5/3/6 Гбит/с
Производительность последовательного чтения (макс.) [1,3]
(Модель 512 ГБ с корпусом типа 2.5)    Последовательное чтение (макс.) 534 МБ/с (510 МиБ/с)
Последовательное чтение (мин.) 482 MБ/с{460 MиБ/с}
Производительность последовательной записи (макс.) [1,3]
(Модель наибольшей емкости)    482 МБ/с (460 МиБ/с)
Напряжение питания    5,0 В ±5 %
Энергопотребление
(Модель наибольшей емкости)    При активном пользовании: 3,3 Вт (в среднем)
При простое: 125 мВт (в среднем)
Устойчивость к вибрации    196 м/с2 (20 G) при 10–2000 Гц

Надежность    Среднее время до отказа (MTTF): 1,500,000 часов
Ударопрочность    14,7 км/с2 (1500 G) при 0,5 мс
Размер     100.0 мм x 69.85 мм
x 9.5 мм    100.0 мм x 69.85 мм
x 7.0 мм    
Вес (станд.)    от 51 до 55 г    от 49 до 53 г
Температура    Рабочая температура: от 0 до 70 °C (температура корпуса)
Нерабочая температура:  от -40 °C до 85 °C
Дополнительные функции    •    Режим трансляции, позволяющий использовать разные конфигурации накопителя
•    Поддержка команд 28-битового режима LBA и 48-битового режима LBA
•    Режимы Multi-word DMA, Ultra-DMA, Advanced PIO
•    Автоматические повторные попытки и исправления при ошибках чтения

Модель[4]    THNSxJyyyGMCU     THNSxJyyyG8NU/DNU[5]    THNSxJyyyGVNU
Форм-фактор    Модуль mSATA[2]    M.2 2280-D2 двусторонний    M.2 2280-S2 односторонний
Емкость [1]
    60/128/256/512 ГБ    128/256 ГБ
Тип соединителя    mSATA        M.2 B-M    M.2 B-M
Память     Toshiba A19 нм MLC NAND Flash Memory
Интерфейс [1]    ACS-2, SATA версии 3.1, 1.5/3/6 Гбит/с
Производительность [1,3]
(Модель 512 ГБ с корпусом типа 2.5)    Последовательное чтение (макс.) 534 МБ/с (510 МиБ/с)
Последовательное чтение (мин.) 482 MБ/с{460 MиБ/с}
Производительность последовательной записи (макс.) [1,3]
(Модель наибольшей емкости)    482 МБ/с (460 МиБ/с)
(модель 512 ГБ)    471 МБ/с
(450 МиБ/с)
Напряжение питания    3,3 В ±5 %
Энергопотребление
(Модель наибольшей емкости)    При активном пользовании: 3,2 Вт (в среднем)
При простое: 65 мВт (в среднем)    При активном пользовании: 2,5 Вт (в среднем)
При простое: 65 мВт (в среднем)
Устойчивость к вибрации
    196 м/с2 (20 G) при 10–2000 Гц
Надежность    Среднее время до отказа (MTTF): 1,500,000 часов
Ударопрочность    14,7 км/с2 (1500 G) при 0,5 мс
Размер    50.95 мм x 30.0 мм
x 3.95 мм
    80.0 мм x 22.0 мм
x 3.50 мм
    80.0 мм x 22.0 мм
x 2.15 мм
Вес (станд.)    от 7,3 до 7,7 г    от 7,0 до 9,3 г    от 6,4 до 6,6 г

Рабочая температура    
Рабочая температура: от 0 до 80 °C (температура компонентов)
Нерабочая температура:  от -40 °C до 85 °C
Дополнительные функции    •    Режим трансляции, позволяющий использовать разные конфигурации накопителя
•    Поддержка команд 28-битового режима LBA и 48-битового режима LBA
•    Режимы Multi-word DMA, Ultra-DMA, Advanced PIO
Автоматические повторные попытки и исправления при ошибках чтения

[1] Один мегабайт (1 МБ) = 1 000 000 байт, один гигабайт (1 ГБ) = 1 000 000 000 байт
[2] mSATATM — незарегистрированный товарный знак организации Serial ATA International Organisation
[3] 1 МиБ (мебибайт) = 220 байт = 1 048 576 байт
[4] Номер модели: x=N, стандартная модель, x=F, модель SED.  "yyy" обозначает емкость диска
[5] Только модели на 512 ГБ отмечаются как "DNU", 60-,128- и 256-ГБ модели отмечаются как "8NU"