IT ExpertМир технологийНовинки

Малосигнальные полевые МОП-транзисторы NXP

| 13.07.2011

ВКонтакт Facebook Google Plus Одноклассники Twitter Livejournal Liveinternet Mail.Ru

Малосигнальные полевые МОП-транзисторы NXP

Компания NXP Semiconductors N.V. представила новое семейство малосигнальных полевых МОП-транзисторов (MOSFET), отличающихся уникально низким сопротивлением открытого канала – RDS(on).

Низкое сопротивление открытого канала полевых p-канальных и n-канальных МОП-транзисторов обеспечит экономию энергии в таких устройствах потребительской электроники, как ноутбуки, планшетные ПК, мобильные телефоны, электронные книги, телевизионные абонентские приставки и ЖК-телевизоры. Эти высокоэффективные полевые МОП-транзисторы поставляются массовыми партиями в небольших (3 х 3 мм) корпусах SOT23 и SOT457, таким образом, инженеры-разработчики смогут заменить компоненты большего типоразмера значительно более компактными – с тем же или меньшим сопротивлением открытого канала.

Факты/основные особенности:
• PMV16UN, один из новых n-канальных полевых МОП-транзисторов NXP в корпусе SOT23, имеет ультранизкое сопротивление RDS(on), 18 мОм максимально при VGS = 4,5 В.
• МОП-транзисторы NXP обеспечивают 20%-ное повышение энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением полевых МОП-транзисторов на базе Trench-технологии.
• Компоненты доступны уже сегодня, цена при заказе партиями от 1000 штук составляет 1,20 доллара США за штуку.
• В 2011 году будет выпущено около 70 типов малосигнальных полевых МОП-транзисторов.

Мероприятия

25.04.2019 — 26.04.2019
Open Agile Day

Отель Шератон Палас

28.05.2019
Smart City 2019: госпроекты и их реализация

Москва, Веранда ЦМТ, Краснопресненская наб., 12

29.05.2019 — 31.05.2019
IT & Security Forum

Казань, ГРК Корстон

14.06.2019
Национальная конференция "MVNO Russia 2019»,

Москва, Отель Holiday Inn Сущевская

25.06.2019 — 27.06.2019
CEBIT RUSSIA (Сколково)

технопарк Сколково