IT ExpertМир технологийНовинки

Малосигнальные полевые МОП-транзисторы NXP

| 13.07.2011

ВКонтакт Facebook Google Plus Одноклассники Twitter Livejournal Liveinternet Mail.Ru

Малосигнальные полевые МОП-транзисторы NXP

Компания NXP Semiconductors N.V. представила новое семейство малосигнальных полевых МОП-транзисторов (MOSFET), отличающихся уникально низким сопротивлением открытого канала – RDS(on).

Низкое сопротивление открытого канала полевых p-канальных и n-канальных МОП-транзисторов обеспечит экономию энергии в таких устройствах потребительской электроники, как ноутбуки, планшетные ПК, мобильные телефоны, электронные книги, телевизионные абонентские приставки и ЖК-телевизоры. Эти высокоэффективные полевые МОП-транзисторы поставляются массовыми партиями в небольших (3 х 3 мм) корпусах SOT23 и SOT457, таким образом, инженеры-разработчики смогут заменить компоненты большего типоразмера значительно более компактными – с тем же или меньшим сопротивлением открытого канала.

Факты/основные особенности:
• PMV16UN, один из новых n-канальных полевых МОП-транзисторов NXP в корпусе SOT23, имеет ультранизкое сопротивление RDS(on), 18 мОм максимально при VGS = 4,5 В.
• МОП-транзисторы NXP обеспечивают 20%-ное повышение энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением полевых МОП-транзисторов на базе Trench-технологии.
• Компоненты доступны уже сегодня, цена при заказе партиями от 1000 штук составляет 1,20 доллара США за штуку.
• В 2011 году будет выпущено около 70 типов малосигнальных полевых МОП-транзисторов.

Мероприятия

20.02.2019
Больше, чем просто видеть

Москва, онлайн

25.02.2019 — 26.02.2019
Teamlead Conf

Москва, Инфопространство

21.03.2019 — 22.03.2019
ИндаСофт-2019

Москва, ул. Лесная, д. 7, корп. А, БЦ «Белые Сады»

05.04.2019
Moscow Python Conf

Москва, Инфопространство

29.05.2019 — 31.05.2019
IT & Security Forum

Казань, ГРК Корстон