IT ExpertМир технологийНовинки

NXP представляет технологию Gen8 LDMOS для базовых станций

| 16.06.2011

ВКонтакт Facebook Google Plus Одноклассники Twitter Livejournal Liveinternet Mail.Ru

NXP представляет технологию Gen8 LDMOS для базовых станций

Компания NXP Semiconductors N.V. представила мощные СВЧ LDMOS транзисторы восьмого поколения (Gen8) для беспроводных базовых станций, позволяющие расширить полосу пропускания сигнала до 60 МГц и предоставляющие оптимизированную схему согласования ввода/вывода для создания широкополосных недорогих компактных мультистандартных усилителей мощности Догерти с высокой эффективностью.

В настоящее время компания NXP выпускает опытные образцы транзисторов Gen8 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor – смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния) для частот до 960 МГц с превосходной линейностью, высочайшей надежностью и КПД более 55% для усилителей мощности в GSM-системах с использованием множества несущих. Вторая очередь опытных образцов для диапазонов GSM-WCDMA-LTE (1800, 1900 и 2100 МГц) появится до конца 2011 г.

Поставщики беспроводных инфраструктур испытывают нарастающее давление рынка, которому требуются экономически и энергетически эффективные базовые станции, причем незамедлительно. Это давление ощущается не только в развивающихся странах, но и на более зрелых рынках, к тому же, многочисленность стандартов сотовой связи, частотных полос и требования совместного использования сетей в сельских районах еще больше усложняют ситуацию. Технология Gen8 LDMOS компании NXP призвана решить все эти проблемы и обеспечить создание многополосных и широкополосных усилителей мощности, а также базовых приемопередающих станций (BTS), поддерживающих множество режимов, – с низким потреблением энергии и оптимальными затратами.

Ключевые характеристики:

•    Силовые транзисторы Gen8 LDMOS радиочастотного диапазона имеют расширенную полосу пропускания, более высокую мощность и более высокий КПД при меньших размерах и цене.
•    У транзисторов Gen8 по сравнению с предыдущим поколением плотность мощности выше на 15%, а выход мощности – примерно на 5% (в зависимости от приложения).
•    Пиковые уровни мощности выше 500 Вт (P3dB) для ВЧ коррекции теперь достижимы в компактном, недорогом корпусе типоразмера SOT502.
•    Расширенная полоса пропускания видео позволяет задействовать весь выделенный диапазон частот.
•    LDMOS технология компании NXP в мощных СВЧ транзисторах обычно использует напряжения от 28 до 32 В и обеспечивает рекордные рабочие частоты до 3,8 ГГц.

Мероприятия

23.09.2018 — 25.09.2018
XII Конгресс "Подмосковные вечера"

Москва, Атлас Парк Отель. Домодедово, Судаково, 92,

26.09.2018
Loginom Day 2018: продвинутая аналитика, легкая в приготовлении

Москва, event-холл «Инфопространство»

02.10.2018 — 03.10.2018
Открытая конференция для бизнеса и ИТ «ACCELERATE»

Москва, Краснопресненская набережная, 14 Экспоцентр

02.10.2018
Практики построения современного трейдинга

Москва, Арарат Парк Хаятт, зал Саргсян

04.10.2018 — 05.10.2018
БИТ Санкт-Петербург 2018

Санкт-Петербург, проспект Медиков, дом 3, Конгресс-центр «ЛПМ»