IT ExpertМир технологийНовинки

NXP приступает к серийному выпуску продукции на базе GaN-технологии

| 10.06.2011

ВКонтакт Facebook Google Plus Одноклассники Twitter Livejournal Liveinternet Mail.Ru
На выставке IMS2011, проходящей на этой неделе, компания NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) демонстрирует в действии свою продукцию нового поколения на базе нитрид-галлиевой (GaN) технологии. Среди представленных устройств – 50-ваттный широкополосный усилитель CLF1G0530-50 для диапазона частот 500–3000 МГц, 2,1-ГГц усилители Догерти для базовых станций, а также 100-ваттный усилитель CLF1G2435-100 для диапазона частот 2,5–3,5 ГГц.

Компания NXP разработала высокочастотную производственную GaN-технологию для компонентов большой мощности в сотрудничестве с компанией United Monolithic Semiconductors и Фраунгоферовским институтом прикладной физики твердого тела. Сегодня компания NXP занимает уникальные позиции в качестве крупнейшего производителя полупроводниковых компонентов, который предлагает решения как на базе технологии LDMOS, так и на базе нитрид-галлиевой технологии. Опытные образцы первых GaN усилителей мощности компании NXP уже имеются в наличии.

Факты/ключевые особенности:

•    GaN устройства компании NXP изготавливаются на SiC подложках для улучшения радиочастотных и тепловых характеристик.
•    Компоненты NXP на базе GaN предназначены для устройств сотовой связи, широкополосных усилителей, систем диапазона ISM, персональных системы подвижной радиосвязи, радаров, авиационного электронного оборудования, систем освещения с РЧ-управлением, медицинских приборов, систем кабельного телевидения, а также цифровых передатчиков для сотовой связи и радиовещания.
•    Благодаря высокой плотности мощности GaN-компоненты смогут найти применение и в таких областях, как оборудование высокой мощности для широкополосного вещания, где до сих пор, как правило, используются твердотельные усилители мощности на основе вакуумных приборов.  
•    В настоящее время большинство усилителей мощности для базовых станций имеет ограниченную область применения, тогда как новая производственная GaN-технология компании NXP позволит создать «универсальный передатчик», который можно будет использовать во множестве систем на различных частотах, что упростит изготовление и логистику передатчиков и предоставит операторам возможность мгновенно переключаться между частотными полосами в соответствии с требованиями к зоне покрытия базовых станций.
•    Как ожидается, широкополосные GaN усилители мощности компании NXP будут доступны для заказа большими партиями в конце 2011 г.

«В условиях повышенного интереса к нитриду галлия поддержка GaN-технологии со стороны такой крупной полупроводниковой компании, как NXP, позволяет рассматривать эту технологию в качестве наиболее предпочтительной для мощных полупроводниковых СВЧ-компонентов и способствует ее более широкому внедрению», – заявил директор компании ABI Research Ланс Вильсон (Lance Wilson).

«Мы были поражены восторженными отзывами заказчиков и партнеров, а также других производителей полупроводниковых компонентов в связи с нашими планами выпуска продукции на базе GaN, которые мы представили на выставке CS Europe в этом году – и надеемся успешно реализовать эти планы, главным образом, за счет экономии, обусловленной масштабом производства. Мы также сможем вместе с партнерами сформировать европейскую цепочку поставок новой продукции на основе GaN, чтобы оптимизировать затраты на каждом этапе создания добавленной стоимости, а также обеспечим своим заказчикам возможность выбора технологии – LDMOS или GaN – для создания высокоэффективных устройств», – считает Джон Крото (John Croteau), старший вице-президент и генеральный директор подразделения высокопроизводительных СВЧ-систем, компания NXP Semiconductors.

Другие материалы рубрики

Загрузка...

Компании сообщают

Мероприятия

19.09.2019
MOBILE FORENSICS DAY 2019

Москва, ул.Лесная 7, БЦ «Белые сады", конференц-зал «MEETING POINT WHITE GARDENS».

26.09.2019 — 27.09.2019
Smart Oil & Gas

Отель «Хилтон Санкт-Петербург Экспофорум»,