IT ExpertМир технологийНовинки

Память в 3D

| 16.08.2013

ВКонтакт Facebook Google Plus Одноклассники Twitter Livejournal Liveinternet Mail.Ru

Память в 3D

Первую в индустрии NAND флэш-память с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек разработала компания Samsung.

Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND обладает выгодным соотношением производительности/размера и будет применяться в широком спектре потребительской электроники, в том числе твердотельных накопителях.

Чип объемом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash, обеспечивающую повышенную надежность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость флэш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором.

Компания: Samsung

Другие материалы рубрики

Загрузка...

Компании сообщают

Мероприятия

22.09.2019 — 24.09.2019
XIII CIO-конгресс «Подмосковные вечера»

Москва, Московская обл., дер. Новая Купавна

26.09.2019 — 27.09.2019
GIS DAYS 2019

Санкт-Петербург, отель «Park Inn Прибалтийская», ул. Кораблестроителей, д.14,

26.09.2019 — 27.09.2019
Smart Oil & Gas

Санкт-Петербург, Отель «Хилтон Санкт-Петербург Экспофорум»

01.10.2019 — 02.10.2019
IoT&AI World Summit Russia

Казань, Казань Экспо

02.10.2019 — 04.10.2019
Созвездие САПР

отель Артурс