IT ExpertМир технологийНовинки

Память в 3D

| 16.08.2013

ВКонтакт Facebook Google Plus Одноклассники Twitter Livejournal Liveinternet Mail.Ru

Память в 3D

Первую в индустрии NAND флэш-память с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек разработала компания Samsung.

Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND обладает выгодным соотношением производительности/размера и будет применяться в широком спектре потребительской электроники, в том числе твердотельных накопителях.

Чип объемом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash, обеспечивающую повышенную надежность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость флэш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором.

Компания: Samsung


Поделиться:

ВКонтакт Facebook Google Plus Одноклассники Twitter Livejournal Liveinternet Mail.Ru

Загрузка...

Другие материалы рубрики

Компании сообщают

Мероприятия

25.02.2019 — 26.02.2019
Teamlead Conf

Москва, Инфопространство

05.04.2019
Moscow Python Conf

Москва, Инфопространство