IT ExpertМир технологийНовинки

Память в 3D

| 16.08.2013

ВКонтакт Facebook Google Plus Одноклассники Twitter Livejournal Liveinternet Mail.Ru

Память в 3D

Первую в индустрии NAND флэш-память с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек разработала компания Samsung.

Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND обладает выгодным соотношением производительности/размера и будет применяться в широком спектре потребительской электроники, в том числе твердотельных накопителях.

Чип объемом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash, обеспечивающую повышенную надежность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость флэш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором.

Компания: Samsung

Мероприятия

21.03.2019 — 22.03.2019
ИндаСофт-2019

Москва, ул. Лесная, д. 7, корп. А, БЦ «Белые Сады»

26.03.2019 — 27.03.2019
Cisco Connect-2019

Москва. Экспоцентр

05.04.2019
Moscow Python Conf

Москва, Инфопространство

16.04.2019 — 18.04.2019
Открытые дни DIRECTUM. Практика и тренды цифровизации

Москва, Москва, Санкт-Петербург и еще 16 городов России и СНГ

29.05.2019 — 31.05.2019
IT & Security Forum

Казань, ГРК Корстон