IT ExpertМир технологийНовинки

Память в 3D

| 16.08.2013

ВКонтакт Facebook Google Plus Одноклассники Twitter Livejournal Liveinternet Mail.Ru

Память в 3D

Первую в индустрии NAND флэш-память с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек разработала компания Samsung.

Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND обладает выгодным соотношением производительности/размера и будет применяться в широком спектре потребительской электроники, в том числе твердотельных накопителях.

Чип объемом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash, обеспечивающую повышенную надежность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость флэш-памяти по сравнению с классическими ячейками с плавающим затвором.

Компания: Samsung

Мероприятия

23.09.2018 — 25.09.2018
XII Конгресс "Подмосковные вечера"

Москва, Атлас Парк Отель. Домодедово, Судаково, 92,

26.09.2018
Loginom Day 2018: продвинутая аналитика, легкая в приготовлении

Москва, event-холл «Инфопространство»

02.10.2018 — 03.10.2018
Открытая конференция для бизнеса и ИТ «ACCELERATE»

Москва, Краснопресненская набережная, 14 Экспоцентр

02.10.2018
Практики построения современного трейдинга

Москва, Арарат Парк Хаятт, зал Саргсян

04.10.2018 — 05.10.2018
БИТ Санкт-Петербург 2018

Санкт-Петербург, проспект Медиков, дом 3, Конгресс-центр «ЛПМ»