В России запустят экспериментальную линию по выпуску кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия

Логотип компании
05.08.2022
В России запустят экспериментальную линию по выпуску кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия
Эти радиоэлектронные компоненты используются при производстве источников питания, модулей систем связи 5G, оборудования для серверов и дата-центров, беспроводных зарядных станций для электротранспорта.

«Зеленоградский нанотехнологический центр» (АО «ЗНТЦ»), резидент ОЭЗ «Технополис «Москва», завершил очередной этап подготовки инфраструктуры для выпуска кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия – строительство и ввод в эксплуатацию участка для экспериментального производства.

Инвестиции в проект составили около 1 млрд рублей. Это первое подобное производство в России.

Нитрид галлия является одним из самых востребованных и перспективных материалов современной электроники. Устройства на основе GaN-Si, их перспективы и преимущества регулярно обсуждаются на отраслевых конференциях по всему миру. Среднегодовой темп роста мирового рынка силовой электроники на GaN-Si, по прогнозам экспертов, в ближайшие два года составит 85%.

Мелкосерийное производство микроэлектроники на нитриде галлия начнется в следующем году.

Похожие статьи