Cамый миниатюрный в мире модуль флеш-памяти NAND объёмом 128 ГБ

24.02.2012
    Новый модуль обладает максимальным объёмом памяти среди аналогичных продуктов на базе единого кристалла и подтверждает лидирующие позиции корпорации в сфере применения технологии «три бита на ячейку» <br />
<br />
•    Технологическая документация будет представлена в рамках конференции

МИЛПИТАС, Калифорния, 22 февраля 2012 г. – Корпорация SanDisk (NASDAQ: SNDK), мировой лидер на рынке флеш-памяти, сегодня объявила о завершении разработки самого миниатюрного в мире модуля памяти NAND объёмом 128 гигабит (Гб). Новая микросхема способна хранить 128 миллиардов бит информации на одном кристалле площадью 177 мм2 – меньше американской монеты в один цент и лишь чуть больше четверти квадратного дюйма.  <br />
<br />
Применение флеш-памяти NAND в составе высокотехнологичных устройств, таких как смартфоны, планшеты и твердотельные накопители (SSD), позволяет добиваться высокой функциональности на фоне компактных размеров, благодаря чему производители получают возможность выводить на рынок более мощные компьютеры, устройства связи и бытовую технику, не увеличивая расходы на производство.<br />
<br />
Новый модуль памяти SanDisk объёмом 128 Гб производится в соответствии с самым современным техпроцессом 19-нм. Нанометр это одна миллиардная часть метра, то есть на срезе человеческого волоса может поместиться до 3000 дорожек чипа, созданного по технологии 19-нм. В основе нового модуля также лежит технология «три бита на ячейку» корпорации SanDisk, позволяющая создавать продукты NAND, способные считывать и записывать три бита информации в каждой ячейке. <br />
<br />
Техпроцесс 19-нм используется корпорацией SanDisk для производства модулей на базе девятого поколения технологии многоуровневых ячеек (MLC) и пятого поколения технологии X3. Сочетание производственных мощностей и технологического опыта позволяет SanDisk добиваться большей вместимости ячеек памяти, что открывает возможности для создания более компактных модулей флеш-памяти NAND. <br />
<br />
«Создание настолько сложного модуля флеш—памяти NAND объёмом 128 Гб является выдающимся достижением», - сказал Мехрдад Модифи, Вице-президент по разработке модулей памяти. «Этот инновационный продукт в очередной раз подтвердил технологическое лидерство корпорации SanDisk. Теперь наши клиенты получат возможность создавать более компактные и производительные устройства, не увеличивая объёмы производственных затрат».<br />
<br />
Эти полупроводниковые модули памяти объёмом 128 Гб выделяются не только компактными размерами, но и выдающейся скоростью записи по технологии X3, достигающей 18 мегабайт (Мб)** в секунду. Подобных результатов удалось добиться за счёт использования запатентованной архитектуры ABL. Новый модуль может служить примером использования технологии Х3 для создания широкого спектра продуктов, в основе которых лежит флеш-память MLC NAND. Техническая документация, детально описывающая новый продукт, будет официально представлена сегодня в рамках конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), проходящей в Сан-Франциско.<br />
<br />
Модуль флеш-памяти NAND объёмом 128Гб появился на свет в результате совместных усилий сотрудников компаний SanDisk и Toshiba, которые работали над общим проектом в штаб-квартире SanDisk в Милпитасе. Руководил проектом Ян Ли (Yan Li), Директор по разработке модулей памяти SanDisk. Первые продукты объёмом 128 Гб, построенные на технологии «три бита на ячейку» были отгружены в конце прошлого года, а на сегодняшний день уже организован полномасштабный процесс их производства. Кроме того, компания SanDisk разработала родственный продукт, призванный унаследовать успех модулей с объёмом памяти 128 Гб – модули X3 NAND объёмом 64 Гб, совместимые с отраслевым форматом microSD™. Эти модули уже также запущены в производство. <br />
<br />
Флеш-память NAND используется при создании надёжных и компактных модулей хранения данных, которые компания SanDisk предлагает OEM-производителям в качестве компонентов для смартфонов, планшетов и ультрабуков. Кроме того, данная технология применяется в продуктах, которые SanDisk производит и продаёт самостоятельно, в частности в картах памяти для фотоаппаратов и мобильных устройств, USB-накопителях и mp3-плейерах.<br />
<br />
* 1 гигабит (Гб) = 1 миллиард бит. Некоторый объём памяти недоступен для хранения данных.<br />
** По данным внутреннего тестирования; производительность может зависеть от используемого устройства. 1 мегабайт (Мб) = 1 миллион байт.