Intel модернизирует завод в Рио-Ранчо

31.05.2010
Корпорация Intel объявила о намерении инвестировать 650 миллионов долларов в расширение производства 300-миллиметровых подложек на заводе Fab 11X в Рио Ранчо (штат Нью-Мексико).

«Благодаря этому мы сможем еще лучше соответствовать запросам наших заказчиков, – сказал Пол Отеллини (Paul Otellini), президент и главный  исполнительный директор корпорации Intel. – Дальнейшее наращивание производства 300-миллиметровых подложек поможет повысить общие экономические показатели нашей международной производственной сети». <br /><br />
Строительство и установка нового оборудования будут вестись в течение 2006 года, и уже в начале 2007 года новые производственные мощности на Fab 11X будут введены в строй. Тем самым будет сделан еще один шаг к достижению стратегической цели корпорации Intel – увеличить производство 300-миллиметровых подложек для выпуска продукции по 90-нанометровой, 65-нанометровой и будущих технологий производства микросхем. Сейчас 300-миллиметровые подложки производятся на четырех заводах Intel: Fab 11X, D1D и D1C в штате Орегон и Fab 24 в Ирландии.<br /><br />
Производство 300-миллиметровых подложек расширяет возможности выпуска более дешевых полупроводников по сравнению с более распространенными пока 200-миллиметровыми подложками. Общая площадь полупроводниковых элементов на 300-милиметровых подложках на 225 процентов (т. е. более чем в два раза) превышает  площадь 200-миллиметровых подложек, вследствие чего на них умещается на 240 процентов больше микросхем. Кроме того, увеличение размера подложек сокращает себестоимость производства каждой микросхемы и оптимизирует использование ресурсов.<br /><br />
«С каждой последующей производственной технологией корпорация Intel улучшает характеристики своей продукции с точки зрения ее воздействия на окружающую среду, – заявил Тим Хендри (Tim Hendry), вице-президент подразделения Intel Technology and Manufacturing и директор завода Fab 11X. – В производственном процессе с использованием 300-миллиметровых подложек затрачивается на 40 процентов меньше электроэнергии и воды на каждую микросхему».