Hynix увеличит потенциал смартфонов
10.08.2010
Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства NAND флэш-чипов с 64 Гб памяти на борту, выполненных по 20 нм технологии.
Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства NAND флэш-чипов с 64 Гб памяти на борту, выполненных по 20 нм технологии. Производство запущено на заводе компании в Чонджу (Южная Корея).
Что происходит с импортозамещением в российском ИТ
ИИ-агенты в продуктиве: решает не количество ускорителей, а архитектура вокруг них
Моноблоки MSI PRO MAX 27: рабочее место для медицинских организаций, банков и HORECA
Специалисты из Hynix отметили, что класс чипов 20 нм, который был разработан в феврале этого года, обеспечивает 60% увеличение продуктивности по сравнению с уже существующими 30 нм чипами. Также, благодаря новому техпроцессу, удалось увеличить плотность новых чипов в 2 раза, что особенно важно для современных мобильных решений. Теперь на том же по размерам чипе помещается 64 Гб памяти против 32 Гб в недавнем прошлом.
Также Hynix разработала конечные NAND флеш-решения, в которых сочетаются старые чипы 30 нм с 32 Гб и контроллеры производства израильской Anobit. Новые серийные 20 нм флеш-чипы также будут оборудованы контроллерами, а окончательное утверждение продукции произойдет в сентябре 2010 г.
«Благодаря началу производства 64-гигабайтных чипов, выполненных по 20 нм техпроцессу, компания получает возможность предоставлять индивидуальные, высокопроизводительные продукты, идеально подходящие под мобильные решения вроде смартфонов, ПК-таблеток и других устройств», - отмечает исполнительный вице-президент компании и технический директор СВ Парк.
