Новая флеш память от Hynix
04.08.2022
В среду была показана новейшая разработка компании – 238-слойная микросхема флэш-памяти NAND. Выпуск чипа в серию ожидается в следующем году.
238-слойная флэш-память NAND от SK Hynix поставляется в трехуровневой ячейке емкостью 512 Г/бит в секунду. Новинка была продемонстрирована на саммите по флэш-памяти в Санта-Кларе (Flash Memory Summit at Santa Clara).
Последняя версия NAND от южнокорейского производителя, появилась всего через год и семь месяцев после того, как им же была представлена 176-слойная NAND.
Компания заявила, что микросхема имеет самое большое количество слоев, но при этом является самым маленьким чипом в своем классе. По словам представителей SK Hynix, ее производительность выросла, а энергопотребление сократилось на 21% по сравнению с предыдущей моделью.
Читайте также
Командный дух — величина важная, но непостоянная. Как при помощи корпоративов поддерживать результаты в команде, какие сценарии заходят лучше и как усилить HR-бренд с помощью мероприятий, порталу IT-World рассказал Андрей Никонов, CEO компании Riverstart.