Трехмерные NAND-чипы встряхнут рынок
Объемы проектирования, разработки и производства первых партий флеш-памяти типа 3D NAND растут. Пробные образцы уже несколько месяцев отправляются клиентам и заказчикам для тестирования.
Судя по всему, следующий год станет полноценным этапом коммерческого становления данной технологии. Однако пройдет еще значительное время, прежде чем процентные показатели брака и доходности нового вида памяти будут соответствовать уровню, который устроит все заинтересованные стороны.
Еще в августе 2013 года Samsung Electronics сообщила о начале массового производства чипов 3D Vertical NAND (3D V-NAND) с плотностью 128 Гбит. С этого момента фактически началась новая эпоха в истории NAND-технологий. Недавно о намерении начать выпуск 3D NAND памяти в начале 2014 года сообщила корпорация Toshiba, которая, кстати, находится в процессе приобретения SSD-бизнеса американской OCZ.
Впрочем, задумываются о новой технологии многие участники рынка. Но на практике экспериментировать с ней могут позволить себе лишь крупные игроки. Как убежден главный аналитик Gartner Брэйди Ван (Brady Wang), сегодня, когда 2D-NAND-память почти достигла своих технологических пределов, поставщики по всему миру решают сложный вопрос: как удовлетворить постоянно растущий спрос на энергонезависимую память? (Здесь следует напомнить, что стоимость производства чипов 3D NAND все еще слишком высока.)
Согласно аналитическому отчету TrendForce, самое раннее, когда стоит ожидать массовых отгрузок продукции на базе 3D NAND, – четвертый квартал 2014 года или даже первое полугодие 2015-го. Именно поэтому производители флеш-памяти NAND вряд ли решатся на изменение уже устоявшейся стратегии работы в данном сегменте. Скорее всего, они, как и прежде, будут создавать искусственный дефицит на эту продукцию, чтобы поддерживать ее стоимость на выгодном для себя уровне.
Как справедливо отмечает в интервью EE Times главный аналитик Objective Analysis Джим Хэнди (Jim Handy): «С тех пор как изобретена интегральная микросхема, гонка заключалась исключительно в том, как много транзисторов или как много ячеек памяти можно уместить на одном маленьком клочке кремния».
И все же, даже несмотря на то, что существуют альтернативные технологии энергонезависимой памяти, в ближайшее время главным претендентом на место устаревающих 2D NAND-технологий будет именно 3D NAND.