Чипы флеш-памяти: тоньше и плотнее
Компания SK Hynix, производитель чипов памяти DRAM и NAND, заявила о старте массового производства флеш-памяти типа MLC (Multi Level Cell) NAND с плотностью 64 Гбит по техпроцессу 16 нм.
Руководство компании заинтересовано в поддержании конкурентоспособности своей продукции: запуск в массовое производство первой версии 16-нм NAND флеш-памяти стартовал еще в июне. И сегодня, под конец года, SK Hynix представила второе поколение 16 нм MLC NAND чипов с плотностью 64 Гбит, которое должно стать более доходным благодаря очередной миниатюризации чипа. Корейцы официально утверждают, что речь идет о самом тонком в отрасли производственном процессе.
Тут стоит заметить, что чем тоньше техпроцесс, тем чаще и сильнее мешают друг другу соседние ячейки чипа. Чтобы снизить влияние этих помех, инженеры SK Hynix вместо привычных изоляционных материалов применяет технологию Air-Gap, с помощью которой организуют изоляционные щиты с использованием так называемых вакуумных дыр.
Но это не все. Уже разработан аналогичный чип флеш-памяти MLC NAND с плотностью 128 Гбит (что соответствует емкости 16 Гбайт), построенный согласно той же технической спецификации, что и младший, 64-Гбит вариант. Заявлено, что это самая высокая плотность для одиночного MLC-чипа на сегодняшний день. Этот тип памяти начнут выпускать в начале 2014 года.
Подтвердили в SK Hynix и намерение развивать альтернативные технологии сегмента флеш-памяти NAND, такие как TLC (Triple Level Cell) и 3D NAND.